射频与微波技术的最新进展（Part 2）

射频半导体技术的飞跃

射频半导体技术的应用向更高频率扩展，半导体行业面临着新的挑战和机遇。

从传统的硅材料到复合半导体的转变，促进了新一代射频设备的诞生。针对2027年起推出的5G高级技术和6G，FR3频谱成为了射频半导体技术竞争的新热点，而亚太赫兹频谱的开发则预计在2030年后开始。

在卫星应用中，氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）技术在功率输出和频率适应性方面展开了激烈的竞争。UMS公司正在开发更先进的GaN-SiC技术，并推进高功率GaAs器件的研发。

在Q/W波段的卫星通信和地面应用的D波段中，开发了60nm的GaN-Si技术和40nm的GaAs LNA，为通信提供了高效解决方案

未来射频设备的发展将越来越依赖于异构集成技术，如系统级封装（SiP）、2.5D和3D集成等，这些技术旨在为射频设备的性能和成本找到最佳平衡点。

不同的应用场景将根据各自的功率、性能和成本要求来优化发射和接收链路的各个部分。这意味着未来的射频设备将采用多种技术的组合，以适应多样化的需求。

随着高频技术、卫星通信、汽车雷达和国防技术的不断革新，射频半导体行业在未来几年内将迎来巨大的发展机遇。异构集成技术的兴起，将成为推动下一代通信和感知设备发展的关键力量。

（本文摘自网络，如有侵权，请联系我们删除。）